ตัวกรองแบบซีล C ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว IGS ประสิทธิภาพสูง สำหรับระบบส่งก๊าซในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

ตัวกรองแบบซีล C ติดตั้งบนพื้นผิว IGS ประสิทธิภาพสูง สำหรับระบบส่งก๊าซในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ (ภาพประกอบ)

คำอธิบายโดยย่อ:

ยี่ห้อ:เฮงโก

ชื่อตัวกรอง:ตัวกรองซีล C แบบติดตั้งบนพื้นผิว IGS

วัสดุ:SS 316L

อัตราการไหล:10 ~ 120 SLPM

อุณหภูมิใช้งานสูงสุด:460 องศาเซลเซียส

ขนาดการกำจัดอนุภาค:> 0.003 ไมโครเมตร

ส่งอีเมลถึงเรา กลับไปยังหมวดหมู่ย่อย

รายละเอียดสินค้า

แท็กสินค้า

คำอธิบาย

ตัวกรองแบบติดตั้งบนพื้นผิวของ HENGKO ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการที่เข้มงวดของระบบก๊าซแบบบูรณาการที่ใช้ในเครื่องมือ OEM สำหรับอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ ด้วยประสิทธิภาพการกรองระดับชั้นนำของอุตสาหกรรมที่ 0.003 µm ตัวกรองเหล่านี้จึงมั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือที่ยอดเยี่ยม ด้วยประสิทธิภาพการดักจับอนุภาค ≥99.9999999% (9-LRV) ที่อัตราการไหล 120 sppm

ตัวกรองเหล่านี้ผลิตจากสแตนเลสสตีล 316L ที่แข็งแรงทนทาน ผ่านกระบวนการเผาผนึกผงสำหรับไส้กรองและตัวเรือน เป็นไปตามข้อกำหนด SEMI F86-0304 โดยมีส่วนประกอบแบบสองพอร์ตที่ออกแบบมาสำหรับระบบจ่ายก๊าซขนาด 1.125 นิ้ว พร้อมการกำหนดค่าซีลแบบ C รองรับแรงดันขาเข้าสูงสุด 3.4 MPa ที่ 100°C และความแตกต่างของแรงดันใช้งานสูงสุด 0.69 MPa ที่ 100°C

ตัวกรองชนิดพิเศษเหล่านี้ สามารถใช้งานร่วมกับข้อกำหนดซีลทั้งแบบ C และแบบ W ได้ ช่วยให้ได้ความสะอาดของวัสดุปลายทาง โดยมีการปลดปล่อยอนุภาคในปริมาณน้อย

ด้วยผิวสำเร็จระดับ Ra< 1.6 µm ที่ด้านนอกและ Raด้วยขนาดอนุภาคภายในที่บางกว่า 0.13 ไมโครเมตร ตัวกรองเหล่านี้ได้รับการออกแบบให้ทนต่ออุณหภูมิสูงถึง 460°C ได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมเพื่อให้ง่ายต่อการติดตั้งและอัปเกรดแบบโมดูลาร์ ตัวกรองเหล่านี้ช่วยลดความซับซ้อนในการติดตั้งและบำรุงรักษา ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของระบบในการส่งและควบคุมก๊าซในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

▶ โครงสร้างโดยรวมทำจากสแตนเลส 316L
▶ ดีไซน์ขนาดเล็ก โครงสร้างกะทัดรัด ประหยัดพื้นที่
▶ คุณสมบัติการแทนที่และการคายก๊าซที่ดีเยี่ยม
▶ ทนต่ออุณหภูมิสูง ความดันสูง และการกัดกร่อน
▶ ตัวเรือนทำจากสแตนเลสสตีล 316L ขัดเงาด้วยไฟฟ้า
▶ ติดตั้งและบำรุงรักษาง่ายและมีประสิทธิภาพ
▶ การซีลเชิงกล โดยไม่เชื่อมติดกับตัวกลางในเชิงโครงสร้าง

ตัวกรองแบบซีล C ชนิดติดตั้งบนพื้นผิว IGS ประสิทธิภาพสูง สำหรับระบบส่งก๊าซในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์

เอกสารข้อมูลทางเทคนิค

พารามิเตอร์ทางเทคนิค	ค่านิยม
วัสดุของไส้กรอง	ผงสแตนเลสเผาผนึก 316L
วัสดุสำหรับที่อยู่อาศัย	สแตนเลสสตีล 316L
แรงดันขาเข้าสูงสุด	3.4 MPa ที่ 100°C
ความแตกต่างในการทำงานสูงสุด	0.69 MPa ที่ 100°C
อัตราการรั่วไหลของการตรวจสอบฮีเลียม	1x10⁻¹¹ ซีซี/นาที
อัตราการรั่วไหลของการทดสอบฮีเลียม	1x10⁻⁹ ซีซี/นาที
การบำบัดพื้นผิว	พื้นผิวด้านนอก Ra< 1.6 ไมโครเมตร
	พื้นผิวด้านใน Ra< 0.13 ไมโครเมตร
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด	460°C
ประสิทธิภาพการดักจับอนุภาค	≥99.9999999% (9-LRV) ที่ 120 slpm (MPPS อ้างอิง, อนุภาคทั้งหมด)
ความสะอาดปลายทาง	การปล่อยอนุภาค:< 0.03 อนุภาค/ลิตร ((< 1 อนุภาค/ลูกบาศก์ฟุต)
	สารระเหย:ความชื้น < 10 ppb
ขนาดการดักจับอนุภาค	≥0.003 ไมโครเมตร
ช่วงการไหล	0 ~ 120 sppm

ขนาด

ขนาดของตัวกรองแบบติดตั้งบนพื้นผิว

นี่คือหมายเลขชิ้นส่วนที่คุณสามารถสั่งซื้อได้และรายละเอียดขนาด:

แบบจำลองผลิตภัณฑ์	อัตราการไหล	ความสูง H (มม.)	ความแม่นยำในการกรอง	ระดับการทำความสะอาด
Z01B-00637	10 sppm	51.6	0.003 ไมโครเมตร	C
Z01B-00638	40 spm	82.9	0.003 ไมโครเมตร	C
Z01B-00687	80 spm	126.2	0.003 ไมโครเมตร	C
Z01B-00688	120 spm	167.9	0.003 ไมโครเมตร	C